高坚固性快恢复二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种高坚固性快恢复二极管，包括：有源区、终端区以及介质层。有源区包括：N‑漂移区、N缓冲层、N+阴极区、阴极电极、P缓冲层、P+阳极区、阳极金属电极、内嵌P环及横向电阻区。N缓冲层位于N‑漂移区的下方；N+阴极区位于N缓冲层的下方；阴极电极位于N+阴极区的下方；P缓冲层位于N‑漂移区的上方；P+阳极区位于P缓冲层的内部；阳极金属电极位于P+阳极区的上方；内嵌P环位于P缓冲层的内部；及横向电阻区位于N‑漂移区的上方。终端区包括接触式场环、浮空场环、截止环、场板及终端阴极P+区；以及介质层位于阳极金属电极的上下方特定位置。借此，本实用新型的高坚固性快恢复二极管，大大提高了坚固性。
基本信息
专利标题 ：
高坚固性快恢复二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921136458.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-19
授权号 ：
CN210110784U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
郭勇陆界江李翠刘金虎邹其峰袁远东
申请人 ：
北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
代理机构 ：
北京中誉威圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙彦斌
优先权 ：
CN201921136458.4
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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