一种新型快速恢复二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型快速恢复二极管，包括封装块，封装块的内侧设置有芯片，芯片的表面连接有焊接片，封装块的侧面对称设置有防护条，防护条的内侧插接有焊接片。该种新型快速恢复二极管，通过防护条对焊接片与封装块连接处进行保护，弯折焊接片时，通过安装槽内的缓冲垫减轻弯折焊接片时与防护条之间的硬接触给其弯折时缓冲，且当防护条外侧焊接片断裂后可以通过剪刀剪去防护条，使防护条内侧的焊接片露出继续使用；通过散热框吸收二极管产生的热量并通过散热孔及散热片将吸收的热量进行散发。
基本信息
专利标题 ：
一种新型快速恢复二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922092859.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210743930U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
周炳赵承杰许新佳
申请人 ：
张家港意发功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
杨淑霞
优先权 ：
CN201922092859.0
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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