一种快恢复二极管
授权
摘要
本实用新型公开了半导体功率器件领域内的一种快恢复二极管。该种快恢复二极管包括N+型硅单晶衬底、N‑型外延层、P+型块和P‑型主结，P+型块具有若干个，N‑型外延层设置于N+型硅单晶衬底上方，P‑型主结设置于N‑型外延层内上方，P+型块设置于N+型硅单晶衬底和N‑型外延层之间，P‑型主结上方设置有正面金属层，N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。该种快恢复二极管具有极短的反向恢复时间、快速开通和关断能力，同时具有极低的电流振荡和电压过冲，提高了器件的稳定性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种快恢复二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921825958.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN210467855U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
王源政金银萍杭圣桥郁怀东
申请人 ：
扬州国宇电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市吴州东路188号
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄启兵
优先权 ：
CN201921825958.9
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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