一种快恢复二极管
授权
摘要
本实用新型提供了一种快恢复二极管，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种快恢复二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922050171.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN211088282U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
曾丹刘勇强史波肖婷
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩来兵
优先权 ：
CN201922050171.6
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06 H01L29/36 H01L21/329
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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