本实用新型提供了快恢复二极管和电子设备。所述快恢复二极管包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，第一导电类型外延层设置在第一导电类型衬底的上表面上；第二导电类型阳极区，第二导电类型阳极区设置在第一导电类型外延层的上表面上；至少一个沟槽，至少一个沟槽从第二导电类型阳极区的表面穿过第二导电类型阳极区并延伸至第一导电类型外延层中，或从第一导电类型外延层的表面向第一导电类型外延层中延伸。由此，上述结构的快恢复二极管的开关频率较高，开关软度较佳；且快恢复二极管的制作工艺更简单，制作成本更低。