一种快恢复二极管、芯片及其制作方法
公开
摘要
本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。
基本信息
专利标题 ：
一种快恢复二极管、芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628530A
申请号 ：
CN202011474140.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡巍覃荣震肖海波张中华肖强罗海辉
申请人 ：
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202011474140.4
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
