一种高压快恢复二极管芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包裹在热熔胶内，所述热熔胶包裹在在封装外壳内，所述封装外壳由金属材料制成，所述封装外壳的内部设有散热组件，所述散热组件包括多个散热杆，多个散热杆呈辐射状固定在所述芯片本体上，所述散热杆的另一端抵触在所述封装外壳的内壁，所述散热杆与所述芯片本体的端部上包裹有绝缘膜，所述散热杆的内部中空且所述散热杆的内部填充有冰晶混合物。本实用新型可以充分散热，使芯片本体能够正常工作。
基本信息
专利标题 ：
一种高压快恢复二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020049655.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-10
授权号 ：
CN210956655U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
张漫漫
申请人 ：
上海曾都电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区叶榭镇叶旺路1号三楼
代理机构 ：
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓文武
优先权 ：
CN202020049655.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/427 H01L23/373 H01L23/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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