一种超薄场截止快速恢复二极管芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种超薄场截止快速恢复二极管芯片结构，属于半导体功率器件技术领域。包括集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲区，所述p型缓冲区的上方设置有n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的上方设置有n基极，所述n基极的内部设置有p型块，所述n基极的内部上方一侧设置有p+基极，所述p+基极的内部设置有n发射极，所述n基极的顶部由内至外依次设置有门极和发射极，本发明通过在n基极内设置p型块，p型块起到阻挡空穴的作用，增强了电导调制效应，降低导通电阻及正向压降，降低功耗，同时设置n+型缓冲区降低了快恢复二极管芯片的电子漂移区域，实现了更快的反向恢复实际并降低Qrr。
基本信息
专利标题 ：
一种超薄场截止快速恢复二极管芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021705545.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN212323006U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
王新强潘庆波王丕龙
申请人 ：
青岛佳恩半导体有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
代理机构 ：
武汉聚信汇智知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘丹
优先权 ：
CN202021705545.X
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L21/329 H01L29/06
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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