一种快恢复二极管器件结构
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摘要
一种快恢复二极管器件结构，主要包括N+衬底层及设置在所述N+衬底层上的N‑外延层，N‑外延层顶部的中间位置上依次设置有半绝缘多晶硅层及氧化硅层，N‑外延层顶部的左右两侧设置有正面金属层，且所述正面金属层的高度高于半绝缘多晶硅层及氧化硅层的高度，氧化硅层及其中一侧正面金属层的顶部设置有钝化层，所述N+衬底层的底部设置有背面金属层，所述制作方法主要包括定义有源区，生长场区氧化层；刻蚀硅表面氧化层后淀积半绝缘多晶硅（SIPOS）和氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层，溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积聚酰亚胺做钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后分别进行少子寿命控制工艺形成具有快速恢复特性的二极管。
基本信息
专利标题 ：
一种快恢复二极管器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020375239.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN211789033U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
伽亚帕·维拉玛·苏巴斯沈华永福周旭明
申请人 ：
上海道之科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区清能路85号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
陈琦
优先权 ：
CN202020375239.8
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L21/329
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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