一种高压快软恢复二极管

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摘要

本实用新型名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P⁺块或阳极P⁺区、阳极P区、长基区N、阴极N⁺环、阴极P⁺块和阴极N⁺块组成；所述阳极P⁺块或阳极P⁺区分布在阳极P区表面，阳极P⁺块或阳极P⁺区与阳极P⁺块或阳极P⁺区之间的阳极P区构成阳极区；所述阴极N⁺块在长基区N表面间隔分布，阴极P⁺块位于阴极N⁺块之间，阴极P⁺块与阴极N⁺块之间由长基区N隔离。本实用新型具有更高的反向阻断电压、更短的反向恢复时间和改善二极管软度因子的特点，主要应用于IGBT、IGCT、IEGT等器件的反

基本信息

专利标题：

一种高压快软恢复二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920759144.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-24

授权号：

CN210325810U

授权日：

2020-04-14

发明人：

张桥颜家圣周霖黄智刘鹏肖彦刘磊吕晨襄

申请人：

湖北台基半导体股份有限公司

申请人地址：

湖北省襄阳市襄城区胜利街162号

代理机构：

襄阳嘉琛知识产权事务所

代理人：

严崇姚

优先权：

CN201920759144.3

主分类号：

H01L29/861

IPC分类号：

H01L29/861 H01L29/167 H01L29/06 H01L23/31

法律状态

2020-04-14 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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