一种高压快恢复二极管结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高压快恢复二极管结构及制造方法，克服了现有技术中工艺精度及退火时间控制难度大，参数一致性差等缺点。本发明所述制造方法，在PN结底部注入并退火形成间隔的P+区域，屏蔽了加反向电压时主结的电场，在P+的间隔区域上方交替刻蚀阳极的接触孔，进一步减小了正向导通过程中少子的注入效率。本发明由于不需要电子辐照和铂扩散等调整少子寿命的工艺，器件的缺陷密度相对较低，高温漏电远小于常规高压快恢复二极管，能有效降低二极管的反向恢复时间及反向恢复电荷。
基本信息
专利标题 ：
一种高压快恢复二极管结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464530A
申请号 ：
CN202111645722.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖晓军胡丹丹
申请人 ：
龙腾半导体股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区
代理机构 ：
西安新思维专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李罡
优先权 ：
CN202111645722.9
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/06 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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