GaN基激光二极管结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种GaN基激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层、钝化层和界面绝缘层；P型电子阻挡层上表面凸出设有脊条，脊条包括P覆盖层、P接触层和P接触电极层；脊条一侧的钝化层纵截面呈倒Z字形，第一水平段置于脊条上表面，竖直段置于脊条的一侧面，第二水平段置于P型电子阻挡层上表面；脊条另一侧的钝化层纵截面呈Z字形，脊条两侧的钝化层对称设置；界面绝缘层设在P型电子阻挡层的上表面，位于第二水平段的侧部；在界面绝缘层的上表面设有第一金属层，在第一金属层、钝化层和脊条上还设有P电极。其在实现光学限制层的前提下进一步提高散热效果。
基本信息
专利标题 ：
GaN基激光二极管结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552385A
申请号 ：
CN202210167214.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁志鹏
申请人 ：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 ：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN202210167214.2
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/024 H01S5/042 H01S5/323 H01S5/32
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/20
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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