具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法,n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层依次层叠设置在N电极上,P型电子阻挡层的上表面凸出设置有脊条,脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层;第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面,位于脊条的两侧,第二钝化层置于第一钝化层上表面;第二钝化层上开设有凹槽,凹槽包括相通的竖槽和横槽,横槽内设置有第一金属层,在第二钝化层的上表面及脊条上设有P电极,P电极具有与竖槽相对应的凸起部,竖槽的横截面积小于横槽的横截面积。其降低了电极结构的应力,提高了金属电极与钝化层的附着力,改善散热性能。
基本信息
专利标题 :
具有金属夹层钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114552387A
申请号 :
CN202210175016.0
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴烈飞
申请人 :
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 :
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 :
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
戴丽伟
优先权 :
CN202210175016.0
主分类号 :
H01S5/20
IPC分类号 :
H01S5/20 H01S5/028 H01S5/32 H01S5/323
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/20
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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