具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种具有荧光层结构的发光二极管晶粒，其包含一具有一第一表面与一相对于第一表面的第二表面的基材、一形成于第一表面的发光组件与至少一形成于第二表面的具有平板状结构的荧光层。上述的发光组件经电压驱动后，发射一种具有特定波长的一级光线，而且一级光线可穿透基材。其次，荧光层包含至少一种有机物与至少一种荧光粉体，所述荧光粉体是分布于呈连续相的有机物中；上述的至少一种荧光粉体吸收并转化部分上述的一级光线，以发射至少一种二级光线，而且至少一种二级光线的波长不同于上述的特定波长。另一方面，本发明也公开了具有荧光层结构的发光二极管晶粒的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988188A
申请号 ：
CN200510132416.X
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴恩柏康敦彦
申请人 ：
香港应用科技研究院有限公司
申请人地址 ：
香港新界沙田香港科学园科技大道东二号光电子中心五楼
代理机构 ：
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢素华
优先权 ：
CN200510132416.X
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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