磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法
公开
摘要
本发明公开了一种磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法，所述对准模块包括具有至少一凹陷部的驱动背板、磁性发光二极管晶粒及磁力吸引装置，磁力吸引装置位于凹陷部下方，并相对应于凹陷部设置。磁性发光二极管晶粒包含磁性金属基板与形成于磁性金属基板上的周边电极，周边电极环绕设置于磁性金属基板上，且邻近设置于其内侧边缘。凹陷部的深度的设计与磁性金属基板的厚度相等，以利用凹陷部及磁力吸引装置吸引磁性发光二极管晶粒容设并对准转移至驱动背板中。通过本发明的晶粒对准技术，可实现准确的对位效果，同时符合产业进行快速的巨量转移技术。
基本信息
专利标题 ：
磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628305A
申请号 ：
CN202110042369.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘埃森冯祥铵涂家玮陈亚理
申请人 ：
晶呈科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾苗栗县竹南镇大埔里公义路462巷58号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
韩雪梅
优先权 ：
CN202110042369.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67 H01L25/075
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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