二极管转移方法以及二极管转移装置
公开
摘要
本申请公开了一种二极管转移方法以及二极管转移装置，所述二极管转移方法包括以下步骤：提供一拾取装置，所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层；所述拾取装置拾取二极管芯片；以及加热升高所述受热膨胀层的温度，所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸，拉大所述二极管芯片之间的间距。本申请的技术效果在于，实现二极管扩大间距并有序排列的巨量转移目标。
基本信息
专利标题 ：
二极管转移方法以及二极管转移装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300502A
申请号 ：
CN202111598003.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王雪琴
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
苏蕾
优先权 ：
CN202111598003.6
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00 H01L33/62
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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