转移基板、转移设备及转移方法
公开
摘要
本申请实施例提供一种转移基板、转移设备及转移方法，转移基板包括基底和设置于基底一侧的变形层，变形层包括至少一个变形单元，变形单元远离基底的侧面在转移微型器件时与微型器件接触；变形单元包括光致变形材料，具有第一状态和第二状态；变形单元处于第一状态相较于第二状态具有与微型器件更大的接触面积；在光照作用下，变形单元自第一状态转换为第二状态。如此设计，变形单元与微型器件的接触面积变小，而接触面积的减小，使得变形单元与微型器件的粘结面积减小，黏力下降，从而使微型器件更为容易地脱离变形单元，完成微型器件转移。因为光辐照变形是一种非接触的、快速的、可控的变形方法，能够实现快速，高效的微型器件转移。
基本信息
专利标题 ：
转移基板、转移设备及转移方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628309A
申请号 ：
CN202210187775.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王飞张笑谷新梁轩赵欣欣
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
安凯
优先权 ：
CN202210187775.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67 H01L33/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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