本发明提供一种GaN基的激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N覆盖层、N波导层、发光活性层、P波导层、电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层上表面设有脊条，脊条包括P覆盖层和依次叠设在P覆盖层上的P接触层、P接触电极层；钝化层包括层叠设置的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于脊条的两侧，第二钝化层上开设有凹槽，在第二钝化层上表面和脊条上设有第一金属层，第一金属层具有与凹槽相对应的凸起部，在第一金属层上表面还设有P电极。其降低了电极结构的应力，提高了金属电极与钝化层的附着力，可以形成厚的金属电极，降低封装要求，提高散热性能，扩大应用。