本发明提供一种带孔洞钝化层的GaN基激光二极管结构及制造方法，包括依次层叠设置的N电极、n型GaN衬底、N波导层、发光活性层、P波导层、P型电子阻挡层和钝化层；P型电子阻挡层的上部表面凸出设置有脊条，脊条包括P覆盖层、P接触层和P接触电极层；钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设置在P型电子阻挡层的上表面，位于所述脊条的两侧，第一钝化层的靠近脊条的一侧设置有切角，使得第一钝化层与脊条之间形成切角空间，脊条两侧的切角对称设置；切角的上端部与脊条之间具有间隙，第二钝化层置于第一钝化层的上表面，在第二钝化层上表面及脊条上还设有P电极。其可形成较高光限制效果，降低对绝缘材料的折射率要求。