一种快恢复二极管及其制作方法
公开
摘要
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快恢复二极管，其中，包括：N型衬底材料层，N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层，第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层，第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。本发明还公开了一种快恢复二极管的制作方法。本发明提供的快恢复二极管能够提升可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种快恢复二极管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300544A
申请号 ：
CN202111654536.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李磊许生根
申请人 ：
江苏中科君芯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202111654536.1
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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