具GSG共平面电极的直接调变激光二极管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种具GSG共平面电极的直接调变激光二极管，具有半绝缘半导体基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、介电材料绝缘层、一P型电极以及两N型电极。其特征在于，该两N型电极设置于该N型半导体层沿着该介电材料绝缘层侧壁连接至该介电材料绝缘层上方形成共平面，该P型电极与该两N型电极是为GSG(接地‑信号‑接地)共平面电极。使用混合式共平面波导结构具有较高的直接调变速度，并且可与倒装技术整合，减少封装打线所造成的信号传输损耗并降低元件本身所造成之热效应，大幅提升高频与元件操作于高温时的光电特性。
基本信息
专利标题 ：
具GSG共平面电极的直接调变激光二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552372A
申请号 ：
CN202011328369.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴侑伦
申请人 ：
华星光通科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011328369.7
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H01S5/024 H01S5/20
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/042
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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