调变激光二极管改良结构
专利权的终止
摘要
一种调变激光二极管改良结构，包括一半导体基板及形成于半导体基板之上的一分布式回馈激光。分布式回馈激光分为一前端部及一后端部。分布式回馈激光由下至上依次包括一下半导体层、一主动层、一上半导体层、一前光栅、及一后光栅。前光栅形成于分布式回馈激光的前端部的下半导体层中或上半导体层中。后光栅形成于分布式回馈激光的后端部的下半导体层中或上半导体层中。前光栅的一光栅长度大于或等于后光栅的一光栅长度。前光栅的一光栅周期等于后光栅的一光栅周期。前光栅的一光栅责务周期大于或等于40％且小于或等于60％。后光栅的一光栅责务周期大于0％且小于40％或大于60％且小于100％。
基本信息
专利标题 ：
调变激光二极管改良结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920498744.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-12
授权号 ：
CN209730438U
授权日 ：
2019-12-03
发明人 ：
颜胜宏内田俊一林楷滨
申请人 ：
晶连股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN201920498744.9
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/32 H01S5/06
法律状态
2021-03-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01S 5/12
申请日 : 20190412
授权公告日 : 20191203
终止日期 : 20200412
申请日 : 20190412
授权公告日 : 20191203
终止日期 : 20200412
2019-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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