发光二极管光源结构改良
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及有关于一种发光二极管光源结构改良,系由一发光二极管本身透明灯体内部形成一充满多数雷射点状化块状物之阻碍层,当发光晶体通电产生光线,透过透明灯体内部阻碍层之粗细大小不一的雷射点状化块状物,造成光线照射到雷射点状化块状物时,会产生反射现象改变光线照射方向,经由光线多次反复撞击反射,使光线经由透明灯体内部非雷射点状化块状物之缝隙空间散射出均匀扩散光线,使发光二极管不需要增设任何扩散结构体,达到自行照射出均匀扩散光线,增加照射宽广度及光源柔和性,且光线强度亦不会因此降低。
基本信息
专利标题 :
发光二极管光源结构改良
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820004529.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-23
授权号 :
CN201160080Y
授权日 :
2008-12-03
发明人 :
陈鹏文
申请人 :
陈鹏文
申请人地址 :
台湾省苗栗县苗栗市建台街1巷13号
代理机构 :
北京高默克知识产权代理有限公司
代理人 :
金凤
优先权 :
CN200820004529.0
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00
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法律状态
2011-03-30 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101060890740
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2008200045290
申请日 : 20080123
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20100223
号牌文件序号 : 101060890740
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2008200045290
申请日 : 20080123
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20100223
2008-12-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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