发光二极管的结构改良
专利权的终止
摘要
本实用新型的发光二极管至少包含有：一具有承载部的陶瓷底座、至少一金属反射层、至少一发光芯片以及封装体，其金属反射层印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部，该发光芯片设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接，并于承载部中设置封装体以完成发光二极管的结构，该发光二极管发出的光线可藉该金属反射层形成光线反射效果，并利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极的连接。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管的结构改良
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620175515.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-29
授权号 ：
CN200993968Y
授权日 ：
2007-12-19
发明人 ：
张正兴谢荣修陈国湖李敏丽
申请人 ：
鋐鑫电光科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省桃园县平镇市工业五路3号3楼
代理机构 ：
北京申翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
周春发
优先权 ：
CN200620175515.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L25/00 H01L23/498
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599143896
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201755156
申请日 : 20061229
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20131229
号牌文件序号 : 101599143896
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201755156
申请日 : 20061229
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20131229
2007-12-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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