结构改良的发光二极管

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种结构改良的发光二极管，该结构改良的发光二极管包括有一承载架、至少一发光芯片及一荧光层。其中该承载架形成一凹陷部；该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；而该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间可为真空或惰性气体，以避免降低激发荧光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空气而易造成发光芯片氧化与因氧化造成温度提高而降低整体的发光效率等问题，进而可提高发光二极管的发光效率与使用寿命。

基本信息

专利标题：

结构改良的发光二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720125557.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-24

授权号：

CN201126162Y

授权日：

2008-10-01

发明人：

吴庆辉吴志贤

申请人：

东贝光电科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台北县

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈肖梅

优先权：

CN200720125557.3

主分类号：

F21V21/00

IPC分类号：

F21V21/00 F21V9/08 F21V19/00 F21V5/04 F21Y101/02