发光二极管的散热结构改良

专利权的终止

摘要

本实用新型发光二极管的散热结构改良，包括有：一散热基板以及至少一载板，该载板设于该散热基板一侧，该载板上并设有复数导电线路，且该载板上设有至少一发光二极管，而该散热基板具有由陶瓷粒子以及复数奈米级无机半导体粒子混合的本体，当发光二极管工作所发出的热源，使该热源经由载板传导至散热基板时，令该散热基板产生热电效应，其中该N、P型半导体的温度差产生热电动势，改变电流流向，而将热源从散热基板的另侧散去，有效达到散热的功效。

基本信息

专利标题：

发光二极管的散热结构改良

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820107305.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-08

授权号：

CN201207388Y

授权日：

2009-03-11

发明人：

黄茂炎阙麟蕴

申请人：

山巨科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾桃园县芦竹乡长兴路3段229巷33号

代理机构：

北京申翔知识产权代理有限公司

代理人：

周春发

优先权：

CN200820107305.2

主分类号：

H01L23/38

IPC分类号：

H01L23/38 H01L23/373 H01L23/367 H01L33/00 F21V29/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/34

冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置

H01L23/38

应用Peltier效应的冷却装置

法律状态

2011-06-15 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101079106869
IPC(主分类) : H01L 23/38
专利号 : ZL2008201073052
申请日 : 20080408
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20100408

2009-03-11 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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