发光二极管的结构改良
专利权的终止
摘要
本实用新型发光二极管的结构改良在封装体的顶面设有由若干沟槽或网点所构成的光学机制，透过光学机制所产生的聚光效果提高封装体的光使用效率，亦即使发光二极管内部的光源集中经由该光学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，俾可大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管的结构改良
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720141382.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-04-02
授权号 ：
CN201044244Y
授权日 ：
2008-04-02
发明人 ：
郑廷栋曾文保江新鉴
申请人 ：
亚帝欧光电股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省桃园县八德市永丰路236巷5号
代理机构 ：
北京申翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
周春发
优先权 ：
CN200720141382.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
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法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004367337
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201413825
申请日 : 20070402
授权公告日 : 20080402
号牌文件序号 : 101004367337
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201413825
申请日 : 20070402
授权公告日 : 20080402
2008-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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