发光二极管封装改良结构
专利权的终止
摘要

本实用新型是有关于一种发光二极管封装改良结构,包括有发光二极管晶片、具导热性半导体材料的封装基板、导电支架、导电线路等组件所构成,在封装基板上穿设有复数个散热孔(thermal via),借以导通电路并提供将发光二极管元件在操作时所产生的热导出。本实用新型提供了一种减少光能量损耗、具有高光输出效率的设计,更具有帮助散热及容易控制出光角度的功能。其制造方法不须特殊额外的设备,仅在封装基板上穿设复数个散热孔,且依散热性需求,仅需通过多增设复数个散热孔,借以提高封装结构的散热效能,无须负担额外材料上的成本。

基本信息
专利标题 :
发光二极管封装改良结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720156059.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-07-24
授权号 :
CN201134440Y
授权日 :
2008-10-15
发明人 :
蒋人达吴易座张嘉显李晓乔
申请人 :
亿光电子工业股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200720156059.5
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  H01L23/367  H01L23/13  
法律状态
2012-09-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101327751208
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201560595
申请日 : 20070724
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20110724
2008-10-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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