半导体二极管泵浦紫外激光器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种半导体二极管泵浦紫外激光器。所述半导体二极管泵浦紫外激光器，包括：基频光输出组件、Q开关、三倍频晶体、二倍频晶体和谐振组件；基频光输出组件包括激光晶体、泵浦光耦合件和半导体二极管，激光晶体的两侧分别设有半导体二极管，激光晶体和半导体二极管之间设有泵浦光耦合件；谐振组件包括泵浦侧平面镜、开关侧平面镜和倍频侧平面镜；泵浦侧平面镜设置在激光晶体和泵浦光耦合件，Q开关设置在基频光输出组件和开关侧平面镜之间，三倍频晶体和二倍频晶体设置在开关侧平面镜和倍频侧平面镜之间；基频光输出组件的数量为多个，每个激光晶体两侧的泵浦侧平面镜输出的基频光汇合进入Q开关。
基本信息
专利标题 ：
半导体二极管泵浦紫外激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498271A
申请号 ：
CN202210148862.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯杰李旭
申请人 ：
北京华岸科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地盛北街1号院36号楼4004单元(集中办公区)
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
毕翔宇
优先权 ：
CN202210148862.3
主分类号 ：
H01S3/0941
IPC分类号 ：
H01S3/0941 H01S3/109 H01S3/081
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 3/0941
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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