一种半导体激光器芯片及制造方法

授权

摘要

本发明提供了一种半导体激光器芯片及制造方法，其中，半导体激光器芯片包括：衬底；位于所述衬底表面的半导体结构层，所述半导体结构层背向所述衬底的表面与所述半导体结构层的侧壁之间具有过渡坡面；覆盖所述过渡坡面和所述半导体结构层的侧壁的保护结构；焊料层，位于所述半导体结构层背向所述衬底的一侧。保护结构覆盖过渡坡面和半导体结构层的侧壁，可以防止焊料连通半导体结构层导致短路，同时过渡坡面的设计可以防止直角边缘位置发生破损断裂的问题。

基本信息

专利标题：

一种半导体激光器芯片及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112332217A

申请号：

CN202011219328.4

公开（公告）日：

2021-02-05

申请日：

2020-11-04

授权号：

CN112332217B

授权日：

2022-06-03

发明人：

周立王俊谭少阳李波胡燚文

申请人：

苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人：

薛异荣

优先权：

CN202011219328.4

主分类号：

H01S5/32

IPC分类号：

H01S5/32 H01S5/028 H01S5/024

法律状态

2022-06-03 ：

授权

2021-03-16 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01S 5/32
变更事项 : 申请人
变更前 : 苏州长光华芯光电技术有限公司
变更后 : 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋
变更后 : 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
变更事项 : 申请人
变更前 : 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
变更后 : 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

2021-02-26 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01S 5/32
申请日 : 20201104

2021-02-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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