一种DFB激光器外延结构
著录事项变更
摘要
一种DFB激光器外延结构，包括InP基底，在所述InP基底依次采用MOCVD沉积的InP外延层、AlInAsP插入层、AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、以及InGaAs欧姆接触层；本方案设计的DFB激光器外延结构在所述InP外延层中插入若干与InP晶格匹配的InGaAs薄层，一方面可以降低InP基底位错对MQW的影响，另一方面，可以抑制基底中杂质的脱出，从而获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种DFB激光器外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020595628.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN211605647U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
单智发张永姜伟陈阳华方天足
申请人 ：
全磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号1-3层
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘计成
优先权 ：
CN202020595628.1
主分类号 ：
H01S5/32
IPC分类号 ：
H01S5/32 H01S5/323 H01S5/343 C23C16/455 C23C16/30
法律状态
2022-03-04 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01S 5/32
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华 方天足
变更后 : 单智发 张永 陈阳华 方天足
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华 方天足
变更后 : 单智发 张永 陈阳华 方天足
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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