一种LED外延结构及悬挂式芯片结构
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摘要
本实用新型属于LED芯片技术领域，提供了一种LED外延结构及悬挂式芯片结构，LED外延结构包括衬底，衬底上设有第一GaN外延层，第一GaN外延层为具有槽面和梁面的沟槽结构，且槽面和梁面相间设置，槽面上覆盖有二氧化硅层或氮化硅层，第一GaN外延层的上方对应设有第二GaN外延层，第二GaN外延层与第一GaN外延层的梁面相接，且第二GaN外延层与二氧化硅层或氮化硅层间具有一间隙，第二GaN外延层上设有量子阱层，量子阱层上设有P型GaN层。本实用新型的LED外延结构便于实现悬挂式芯片结构的制备，悬挂式芯片结构便于实现散热性好、光电性能稳定好、寿命长的微小型薄膜芯片的生产，同时能够有效减少芯片加工工艺流程，提高LED芯片的生产效率，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延结构及悬挂式芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921568759.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-19
授权号 ：
CN210429861U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
席庆男许南发王晓慧李志
申请人 ：
合肥元旭创芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区天门路以西,锦绣大道以南天门湖工业园1幢厂房2层
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
杨筠
优先权 ：
CN201921568759.4
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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