一种倒装LED芯片外延结构及LED芯片

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摘要

本实用新型公开了一种倒装LED芯片外延结构，其包括：衬底；设于所述衬底上的第一折射层；设于所述第一折射层上的第二折射层；设于所述第二折射层上的第三折射层；设于所述第第三折射层上的第一半导体层；设于所述第一半导体层的有源层；和设于所述有源层上的第二半导体层；其中，所述衬底的折射率＜第一折射层的折射率＜第二折射层的折射率＜第三折射层的折射率＜第一半导体层的折射率。本实用新型还公开了一种倒装LED芯片。本实用新型在衬底表面制备了折射率依次升高的多个折射层，大幅度降低了衬底对有源层发出的光的全反射效应，从而增加了倒装LED芯片的光提取效率，提升了倒装LED芯片的亮度。

基本信息

专利标题：

一种倒装LED芯片外延结构及LED芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921515622.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-11

授权号：

CN210576005U

授权日：

2020-05-19

发明人：

崔永进秦明惠张新朝庄家铭

申请人：

佛山市国星半导体技术有限公司

申请人地址：

广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

胡枫

优先权：

CN201921515622.2

主分类号：

H01L33/46

IPC分类号：

H01L33/46