一种UVB芯片的外延结构及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及紫外发光器件技术领域，尤其涉及一种UVB芯片的外延结构及其应用。本发明所述的外延结构创新性地引入电子缓存层使得电子在进入量子阱和空穴复合发光之前有一个缓存区，所述缓存区因为Al组分较低的AlInGaN层和Al组分较高的AlInGaN层交替生长，形成超晶格结构。电子能在Al组分较低的AlInGaN很好地缓存以及面内均匀扩展，同时Al组分较高的AlInGaN层能够一定程度上限制电子大量拥挤进入量子阱区域，使得电子和空穴持续有效且面内均匀复合，提高了器件的发光效率和寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种UVB芯片的外延结构及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335278A
申请号 ：
CN202210254425.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄小辉倪逸舟
申请人 ：
至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
霍苗
优先权 ：
CN202210254425.X
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/04 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220316
申请日 : 20220316
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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