外延鳍状结构的制作方法
授权
摘要
本发明公开一种外延鳍状结构的制作方法，其包括下列步骤。提供基底，并于基底中形成凹槽。在基底上形成外延层。外延层部分形成于凹槽内且部分形成于凹槽之外。外延层具有一凹陷形成于外延层的上表面上，且凹陷于基底的厚度方向上对应凹槽。在外延层上共形地形成氮化物层，并于氮化物层上形成氧化物层。进行第一平坦化制作工艺，用以移除部分的氧化物层。第一平坦化制作工艺停止在氮化物层上。对位于凹槽内的外延层进行图案化，用以形成至少一外延鳍状结构。
基本信息
专利标题 ：
外延鳍状结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110299286A
申请号 ：
CN201810234864.8
公开（公告）日 ：
2019-10-01
申请日 ：
2018-03-21
授权号 ：
CN110299286B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
谢柏光曾冠豪林毓翔蔡世鸿曾于庭
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201810234864.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/3065 H01L21/3105 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-11-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20180321
申请日 : 20180321
2019-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
