用于提高氨热法氮化镓晶体生长速度的反应釜结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于氨热法生长氮化镓晶体的反应釜结构,属于晶体生长中流场热场设计技术领域。本发明所涉及的结构,主要为多孔介质营养篮几何形状及籽晶上部增加的挡板。通过在多孔介质营养篮中心穿孔的方式,改善多孔介质内部流场,提高溶质传输效率;通过在籽晶上方增加一定开度的挡板,在籽晶表面区域形成漩涡回流,提高籽晶表面浓度与温度。本发明的结构形式,可以用于具有多孔介质结构的反应釜装置(主要包括水热法反应装置)。该装置可以显著提高反应釜内籽晶表面过饱和度,促进晶体生长。同时该结构具有形式简单,可操作性强的特点。
基本信息
专利标题 :
用于提高氨热法氮化镓晶体生长速度的反应釜结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438582A
申请号 :
CN202210026101.0
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
韩鹏飞高冰宋伯韬于越唐霞
申请人 :
武汉大学
申请人地址 :
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 :
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
肖明洲
优先权 :
CN202210026101.0
主分类号 :
C30B7/10
IPC分类号 :
C30B7/10 C30B28/04 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
C30B7/10
加压法,例如水热法
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 7/10
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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