一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置

专利权的终止

摘要

本实用新型属于一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置，采用在石英坩埚上端的炉膛内设有上下端开口的导流筒，导流筒由导流内筒和导流外筒所组成，导流内筒呈倒圆锥形，导流外筒呈圆筒形，导流外筒下周边向内收缩与导流内筒外周边连成一体，导流内筒上周边与导流外筒上周边连成一体并卡固在下保温盖上，导流内筒和导流外筒之间设有隔热材料层。本实用新型能有效保证炉膛内两种温度的互相衔接，可大幅度提高炉膛内晶体生长速度，还有提高硅晶质量，降低制作成本的优点。

基本信息

专利标题：

一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820109320.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-07-18

授权号：

CN201224778Y

授权日：

2009-04-22

发明人：

朱仁德刘旭峰

申请人：

北京天能运通晶体技术有限公司

申请人地址：

100034北京市西城区德胜门外大街11号C座3室

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人：

闫立德

优先权：

CN200820109320.0

主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/00