一种用于提升单晶硅生长速度的水冷热屏及其装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于提升单晶硅生长速度的水冷热屏,涉及单晶硅制造技术领域,其可至少部分解决现有技术中的水冷热屏吸收热辐射能力差,单晶硅生长装置难以满足需求的问题,本发明实施例的一种用于提升单晶硅生长速度的水冷热屏,包括筒状的水冷热屏主体,水冷热屏主体的夹层中设有弯折型的循环水道,所述水冷热屏主体的夹层中设有位于弯折型循环水道内的导热结构,水冷热屏主体的筒腔表面为导热面,导热面背面的水冷热屏主体夹层内表面为散热面,导热结构固定连接于散热面上。
基本信息
专利标题 :
一种用于提升单晶硅生长速度的水冷热屏及其装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481294A
申请号 :
CN202210230230.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-03-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
龚小伦关树军张鹏路建华李飞剑杨春祥
申请人 :
乐山市京运通新材料科技有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市五通桥区金粟镇十字街10号
代理机构 :
成都蓉创智汇知识产权代理有限公司
代理人 :
王成
优先权 :
CN202210230230.1
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20220309
申请日 : 20220309
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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