用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置
授权
摘要
本实用新型提供一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。本实用新型提供的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，通过在炉盖处增加反射环，实现将原本经由炉盖内壁反射至单晶棒的热辐射、以及经由炉盖反射至热屏与单晶棒之间的空间区域的热辐射，反射至炉盖的低温区，从而降低单晶棒温度，并提高单晶棒纵向温度梯度，实现加快单晶棒散热的目的，从而提高单晶生长速度。
基本信息
专利标题 ：
用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020478077.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN211872143U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
王利伟尹嘉琦李万朋滕野陈召彬
申请人 ：
大连连城数控机器股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市甘井子区营城子镇工业园区营日路40号-1、40号-2、40号-3
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
赵淑梅
优先权 ：
CN202020478077.0
主分类号 ：
C30B15/16
IPC分类号 ：
C30B15/16 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
C30B15/16
辐照法和放电法
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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