一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉
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摘要
本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922387139.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211689294U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
王宇冯德伸于洪国雷同光李燕马英俊林泉
申请人 ：
北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区北三环中路43号二区
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟林松
优先权 ：
CN201922387139.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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