一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器
授权
摘要
本实用新型提供一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，所述器壁上加工有至少一个通孔，所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内，所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下，所述通孔的横截面积0.1mm2≤S≤5024mm2。本实用新型通过在器壁上开设通孔实现了晶体生长区的分隔，得其外部未熔化的杂质点不能进入坩埚内，通孔实现了熔体的补充。通孔的尺寸实现更好的提高单晶体的生长良率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022188827.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN212293837U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
黎志欣逯占文李军孔德东曹玉宝
申请人 ：
连城凯克斯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
李洪福
优先权 ：
CN202022188827.3
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B15/02 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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