一种提高硅芯结晶速度的装置
授权
摘要
本实用新型公开了硅芯制备技术领域中一种提高硅芯结晶速度的装置,包括气体输送环、第一出气板和第二出气板等,冷源惰性气体沿气体输送环进入到第一出气管和第三出气管,并沿第一出气板和第二出气板排出,位置相对的第一出气板和第二出气板为相互对称的弧形板,位置相对的第一出气板和第二出气板位于硅芯周侧,第一出气板和第二出气板均为空腔结构,位置相对的第一出气板和第二出气板相对的侧壁上分别均匀开设有出气孔,由于第一出气板和第二出气板环绕硅芯,因此其出气更加均匀,利于均匀冷却硅芯,提高硅芯结晶速度。
基本信息
专利标题 :
一种提高硅芯结晶速度的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022040176.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN211897167U
授权日 :
2020-11-10
发明人 :
金胜薛建云施红亮邱风
申请人 :
新疆登博新能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市高新技术产业开发区经五路6号新疆索科斯新材料公司院内(昌高区1丘24栋)
代理机构 :
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孟阿妮
优先权 :
CN202022040176.3
主分类号 :
C30B28/08
IPC分类号 :
C30B28/08 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/08
区熔法
法律状态
2020-11-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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