一种高晶体质量的外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高晶体质量的外延结构，从下至上依次包括衬底、AlN薄膜层、高温缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，所述AlN薄膜层的材料为AlN，所述高温缓冲层的材料为AlGaN或GaN。
基本信息
专利标题 ：
一种高晶体质量的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920900630.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-14
授权号 ：
CN210576001U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
黎国昌颜君波周佳民
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201920900630.2
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/12 H01L33/06 H01L33/14
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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