一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、n型掺杂GaN漂移层A、多周期GaN/AlGaN隧穿层、n型掺杂GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层；通过在漂移区内插入多周期GaN/AlGaN隧穿层，通过调控多周期的周期数、多周期内的GaN与AlGaN的厚度及Al组分，提高器件的耐压特性，通过隧穿效应显著缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾，改善器件的稳定性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922200106.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211017086U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
左万胜钮应喜程海英钟敏郗修臻张晓洪刘锦锦刘洋史田超
申请人 ：
启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼18层
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹婷婷
优先权 ：
CN201922200106.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/335 H01L29/06
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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