提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法
公开
摘要
本公开提供了一种提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底上生长基础AlN层之后，在基础AlN层的表面沉积石墨烯层之后对基础AlN层进行退火处理，提高得到的基础AlN层的晶体质量。基础AlN层上还沉积有石墨烯层，较为致密且与基础AlN层化学性质差别较大的石墨烯层覆盖基础AlN层的表面，可以抑制基础AlN层的表面在退火过程会出现的氮原子解吸附过程，提高基础AlN层退火之后的内部晶体质量以及表面平整度，也减少杂质吸附。得到质量较好的基础AlN层并在质量较好的基础AlN层上依次生长n型层、发光层与p型层，有效提高最终得到的发光二极管外延片的质量。
基本信息
专利标题 ：
提高晶体质量的发光二极管外延片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583019A
申请号 ：
CN202210050040.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹涌易丁丁张琰琰陆香花
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202210050040.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/44
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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