用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构
授权
摘要
本申请提供一种用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构，该测试结构包括晶体管测试区和密度控制区；密度控制区设有多个有源区密度相同的基本单元，能通过设置不同数量比例的P型单元和N型单元，实现对测试结构中目标外延层密度的控制；晶体管测试区设有若干个目标基本单元，且通过测试线路并联每个目标基本单元中的一个晶体管，用于测量评估晶体管的性能；其中，基本单元至少包括一个晶体管，目标基本单元是指P型单元和N型单元中的其中一种类型的基本单元，且目标基本单元的晶体管采用了分子外延工艺；有源区密度是指基本单元中有源区的面积占比；目标外延层的密度是指目标基本单元的外延层在电路版图中的面积占比。
基本信息
专利标题 ：
用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021386051.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-15
授权号 ：
CN212570984U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
陈海平
申请人 ：
杭州广立微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座
代理机构 ：
江苏坤象律师事务所
代理人 ：
赵新民
优先权 ：
CN202021386051.X
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
