冷源肖特基晶体管及其制备工艺
公开
摘要
本发明提供一种冷源肖特基晶体管及其制备工艺，包括衬底、源区、源区、沟道区、源极、漏极和栅极；源区设在衬底上，源区包括第一源区和与第一源区相连接的金属区，第一源区为重掺杂区；漏区设在衬底上，漏区为重掺杂区，漏区与第一源区的掺杂类型相反；沟道区设在衬底上，沟道区位于金属区和漏区之间，沟道区的上侧和/或下侧设置有栅极介质；源极设在源区上；漏极设在漏区上；栅极设在栅极介质上。在有一定的源漏偏压的情况下，在增大栅压的过程中，沟道区和金属区之间的肖特基势垒被压低，使肖特基势垒变薄，直至低能区的肖特基势垒足够薄时，隧穿电流会迅速增加，源区的低能区的电子隧穿肖特基势垒，从而能够实现亚阈值摆幅低于60mV/dec。
基本信息
专利标题 ：
冷源肖特基晶体管及其制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512546A
申请号 ：
CN202111673717.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘飞谢晓鑫刘晓彦康晋锋
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
邹义威
优先权 ：
CN202111673717.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
