衬底和包含该衬底的存储器装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种衬底和存储装置。该衬底包括：芯层，由电介质材料形成，并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一导电图案，形成在芯层的第一表面上，第一导电图案包括第一信号线、第二信号线和电镀工艺线，并且第一信号线包括形成于其一端的第一电接触部分，第一电接触部分具有电镀层，并且第二信号线包括形成于其一端的第二电接触部分，第二电接触部分具有电镀层，电镀工艺线还包括第一开口区域，第一信号线与第二信号线在第一开口区域断开电连接；以及第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面上的第一导电图案，并填充第一开口区域，第一电接触部分和第二电接触部分通过第一阻焊掩模中的开口暴露。
基本信息
专利标题 ：
衬底和包含该衬底的存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922127420.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210723011U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
廖致钦杨旭一杨正雄
申请人 ：
西部数据技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邱军
优先权 ：
CN201922127420.7
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
