包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置
实质审查的生效
摘要
一种包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置。所述切换装置具有第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间的切换层，切换层使用掺杂有抑制氧化的元素的硫族化物组成物来形成，其引起改进的可制造性及合格率。对于基于AsSeGeSi、或包含硒或砷的其他硫族化物材料、或包含硒或砷及硅的其他硫族化物材料的选择器材料，经添加以抑制氧化的元素可为硫。
基本信息
专利标题 ：
包含硫的切换装置、存储器装置及集成电路存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373862A
申请号 ：
CN202110011018.1
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑怀瑜郭奕廷龙翔澜郑政伟布莱斯凯·马修
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张琛
优先权 ：
CN202110011018.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 G11C13/02
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20210106
申请日 : 20210106
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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