本申请涉及包含支撑结构的存储器装置。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：相应存储器单元层面及控制栅极，所述层面在衬底上方彼此上下叠放，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极，所述控制栅极包含形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点包含与所述控制栅极接触的导电触点；介电结构，所述介电结构位于所述控制栅极的侧壁上；以及支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且具有从所述衬底竖直延伸的长度，所述支撑结构包含最靠近所述导电触点的支撑结构，所述支撑结构位于距所述介电结构的边缘一定距离处，其中，所述支撑结构的宽度与所述距离的比率在从1.6至2.0的范围内。